EL32シングルアンプ・動作点変更

EL32シングルアンプは5%歪みでの出力が1.3Wしかないので、何とかならないかなと思っていた。

EL32の動作点は、Eb=248V Ip≒25mA Eg=-21.2V。おそらく動作点がEp-Ip特性の右下過ぎて2次歪みの多いところになってしまっているのだろう。

対策としては、EL32のIpを増やす、対GNDのグリッド電圧を上げる、+B電圧を下げることが考えられる。このうち、動作点を左へ移動させるのが一番有効なのは+B電圧を下げること。


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結局どれもいじることになってしまったが、変更個所を上の回路図に示す。R6と並列に20KΩ追加、R5と並列に2.2MΩ追加、+Bの整流後に100Ωを追加した。本当は整流直後に抵抗を入れたかったが難しく、コンデンサの後にした。

なお、EL32のスクリーングリッドに100Ωを追加したのは電流を測るため。UL接続でこれが入っている例が多いのは、たぶんスクリーングリッド電圧を下げるのが目的なのだろうと思うが、よくわからない。

変更後のEL32の動作点はEb=230V Ip=29.2mA Eg=-17.2Vとなった。


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再び歪率特性を取ってみた。結果は全体に低歪みとなり、5%歪みでの出力は1.3Wから1.8Wにアップした。なお、1KHzに限ってみれば、出力は1.9Wから2.2Wにアップしている。


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変更後のシャーシ内部。抵抗が少し増えた。

ところで変更後に音色が変化したか?…駄耳なのでわからない(笑)。激変したら楽しいだろうな。

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