6N6Pパラシングルアンプ・低域特性その2

前回の続き~。

結果から言うと、推論は外れていた。あらら(苦笑)。通常のNFBをかけるやり方にしても、低域にピークが生じることがわかった。

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上の回路図のカソードバイパスコンデンサ、C1の容量を増減して低域の周波数特性を調べてみた。

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3.3μFから1000uFまで振って調べてみたが、一番フラットになったのは22μFだった。

本来ならば22uFを採用、となるはずだ。でも、試聴していないのでわからないが、たぶんこの容量値だと低域に不満が生じるんじゃないだろうか。


今度はC1を22μFとして、出力を変化させて周波数特性を取ってみた。それぞれ1KHzの出力を0dBとしてある。

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125mWではほぼフラットだが、出力を上げるとだら下がりに、出力を絞るとピークが生じることがわかる。ある出力でフラットになっても、出力が変わるとフラットになるとは限らない。

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さらに、C1が470μFの時の周波数特性を取ったのが上のグラフ。出力が増減しても、いずれもピークが生じていることがわかる。

どっちが良いかは、わからない。

ということで、C1は現状の470μFで、NFBのかけ方は変えない、ということになりそうだ。

出力段の信号ショートループのコンデンサを増量しても改善されるけれど、電源ON/OFF時の挙動がリプルフィルタのFETに影響を与えないか心配だ。でも220μF程度ならいいかなあ。

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